1. BD680ASTU
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厂商型号

BD680ASTU 

产品描述

PNP/80V/4A

内部编号

3-BD680ASTU

#1

数量:120
120+¥1.9199
240+¥1.824
960+¥1.7328
1920+¥1.69
最小起订量:120
英国伦敦
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#2

数量:1920
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:1920
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
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新加坡
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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BD680ASTU产品详细规格

规格书 BD680ASTU datasheet 规格书
BD680ASTU datasheet 规格书
BD676A/678A/680A/682
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 60
晶体管类型 PNP - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2.8V @ 40mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 750 @ 2A, 3V
功率 - 最大 14W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Tube
包装 3TO-126
配置 Single
类型 PNP
最大集电极发射极电压 80 V
峰值直流集电极电流 4 A
最小直流电流增益 750@2A@3V
最大集电极发射极饱和电压 2.8@40mA@2A V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-126
标准包装名称 TO-225-AA
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 80
最大基地发射极电压 5
封装 Rail
最大集电极发射极饱和电压 2.8@40mA@2A
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
Maximum Continuous DC Collector Current 4
最低工作温度 -65
铅形状 Through Hole
引脚数 3
最大功率耗散 14000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4A
晶体管类型 PNP - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2.8V @ 40mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 14W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 750 @ 2A, 3V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 60
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
系列 BD680A
直流集电极/增益hfe最小值 750
集电极最大直流电流 4 A
最大集电极截止电流 200 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
单位重量 0.026843 oz
安装风格 Through Hole
功率耗散 14 W
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
零件号别名 BD680ASTU_NL
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 4 A
封装类型 TO-126
最大连续集电极电流 -4 A
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 PNP
最大集电极-基极截止电流 -500µA
安装类型 通孔
最大集电极-发射极电压 -80 V
高度 11mm
最大功率耗散 14 W
宽度 3.25mm
尺寸 8 x 3.25 x 11mm
每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
最小直流电流增益 750
长度 8mm
晶体管配置
最大发射极-基极电压 -5 V
最大集电极-发射极饱和电压 -2.8 V
最大集电极-基极电压 -80 V
身高 11 mm
宽度 3.25 mm
长度 8 mm
Pd - Power Dissipation 14 W
品牌 Fairchild Semiconductor

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